Vishay SiHB22N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

78,25 €

(ohne MwSt.)

93,10 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 501,565 €78,25 €
100 - 2001,346 €67,30 €
250 +1,266 €63,30 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-4872
Herst. Teile-Nr.:
SIHB22N60EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SiHB22N60EF

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

182mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.41mm

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.57mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Verwandte Links