Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7 A 34 W, 3-Pin SIHA17N80AE-GE3 TO-220

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RS Best.-Nr.:
210-4961
Herst. Teile-Nr.:
SIHA17N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

34W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

62nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.7 mm

Höhe

4.3mm

Länge

28.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein Thin-Lead TO-220 FULLPAK-Gehäuse mit 7 A Ableitstrom.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

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