Vishay E-Series SIHP5N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 225-9919
Herst. Teile-Nr.:: SIHP5N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E-Series SIHP5N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin TO-220AB

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Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

1,108 €

(ohne MwSt.)

1,319 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	1,108 €	11,08 €
100 - 240	1,052 €	10,52 €
250 - 490	0,887 €	8,87 €
500 - 990	0,831 €	8,31 €
1000 +	0,775 €	7,75 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 225-9919
Herst. Teile-Nr.:: SIHP5N80AE-GE3
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Datasheet - SIHP5N80AE-GE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Ziss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Lawinenenergie (UIS)
Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4,4 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Serie	E-Series
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,35 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay E-Series SIHP5N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin TO-220AB

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