Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 225-9918
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.35Ω | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.52mm | |
| Höhe | 15.85mm | |
| Breite | 4.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.35Ω | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.52mm | ||
Höhe 15.85mm | ||
Breite 4.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 4,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP5N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für den Einsatz in Leistungsumwandlungs- und Steuerungssystemen entwickelt wurde. Es funktioniert als N-Kanal-Gerät, das hohe Drain-Quellenspannungen verarbeiten kann, und ist für Oberflächenmontageanwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste thermische und elektrische Leistung erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 4,4 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine moderate Lastaufnahme
• 1,35 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste beim Betriebsstrom
• 62,5 W Verlustleistung unterstützt dauerhafte Leistungszyklen
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht große Gate-Drive-Margen
• 16,5 nC typische Gate-Ladung unterstützt vorhersehbares Schaltverhalten
• 4,4 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine moderate Lastaufnahme
• 1,35 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste beim Betriebsstrom
• 62,5 W Verlustleistung unterstützt dauerhafte Leistungszyklen
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht große Gate-Drive-Margen
• 16,5 nC typische Gate-Ladung unterstützt vorhersehbares Schaltverhalten
Anwendungen
• Geeignet für Schaltnetzteile, die hohe Gleichstromschienen verarbeiten
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontend-Schaltstadien
• Verwendet für Hochspannungs-Snubber- oder Klemmschaltungen in Stromversorgungssystemen
• Kann für isolierte Boost-Wandler-Schalter in der Automatisierung verwendet werden
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontend-Schaltstadien
• Verwendet für Hochspannungs-Snubber- oder Klemmschaltungen in Stromversorgungssystemen
• Kann für isolierte Boost-Wandler-Schalter in der Automatisierung verwendet werden
In welchem thermischen Bereich kann das Gerät betrieben werden?
Es funktioniert zwischen -55 °C und 150 °C und ermöglicht den Einsatz bei weiten Umgebungstemperaturen.
Wie wird die Montage für die Leiterplattenmontage vorgenommen?
Das Gehäuse ist ein TO-220AB für die Oberflächenmontage mit drei Stiften für die Befestigung an der Leiterplatte oder an einem Kühlkörper.
Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich beachten?
Die Gate-Source-Nennspannung beträgt 30 V, sodass Gate-Treiber Ausbrüche innerhalb dieses Schwellenwerts begrenzen sollten, um Schäden zu vermeiden.
Wie groß ist die typische Energieauswirkung des Gate-Antriebs?
Das Gerät weist eine typische Gate-Ladung von 16,5 nC auf, was die Berechnung der Treibergrößen und Schaltverluste informiert.