Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 850 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
228-2852
Herst. Teile-Nr.:
SiHD5N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.35Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 850 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 4,4 A – SiHD5N80AE-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für das Schalten und Verstärken in oberflächenmontierter Leistungselektronik entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine robuste Blockierfähigkeit und eine moderate Dauerstrombelastbarkeit erfordern, während er gleichzeitig eine TO-252-Fläche für die Oberflächenmontage benötigt.

Merkmale und Vorteile:


• 850 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 1,35 Ω Rds(on) unterstützt kontrollierte Leitungsverluste
• 4,4 A kontinuierlicher Ablassstrom für konstanten Lastbetrieb
• Maximale Verlustleistung von 62,5 W für thermische Leistung
• 11 nC typische Gate-Ladung für schnellere Schaltübergänge
• Gate-Source-Grenzwert von 30 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Bereiche

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontenden
• Wird für Schaltmodus-Leistungsregelungsstufen verwendet
• Kann für Telekommunikations- und Versorgungsleitungs-Schnittstellenschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule

Welchen Betriebstemperaturbereich kann ich für einen zuverlässigen Betrieb erwarten?


Das Gerät funktioniert von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.

Wie sollte ich das Gate-Drive-Design bei dieser Komponente in Betracht ziehen?


Ausgelegt für eine maximale Vgs von 30 V und berücksichtigt die typische Gate-Ladung von 11 nC bei der Dimensionierung der Treiber, um die Anforderungen an Schaltgeschwindigkeit und Antriebsstrom zu erfüllen.

Welche Verpackungs- und Montageaspekte gelten für die Montage?


Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, sodass ein Erdungsmuster und Wärmeleitungen geplant werden sollten, um die Verlustleistung zu bewältigen.

Ist dies für Kfz-zertifizierte Designs geeignet?


Es ist nicht spezifiziert, dass es den Automobilstandards entspricht, daher sollte es vor dem Einsatz auf der Grundlage von Fahrzeugspezifischen Anforderungen bewertet werden.

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