Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin SiHD5N80AE-GE3 TO-252

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RS Best.-Nr.:
228-2852
Herst. Teile-Nr.:
SiHD5N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.35Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

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