Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 200-6867
Herst. Teile-Nr.:: SIHD6N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin DPAK (TO-252)

Mengenrabatt verfügbar

Preis pro Stück (In einer VPE à 25)**

0,772 €

(ohne MwSt.)

0,919 €

(inkl. MwSt.)

Voraussichtlich ab 07.08.2025 verfügbar.*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Packung**
25 - 25	0,772 €	19,30 €
50 - 100	0,617 €	15,425 €
125 - 225	0,54 €	13,50 €
250 - 600	0,475 €	11,875 €
625 +	0,464 €	11,60 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 200-6867
Herst. Teile-Nr.:: SIHD6N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Document- SIHD6N80AE-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	3,2 A, 5 A.
Drain-Source-Spannung max.	850 V
Serie	E
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,95 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin DPAK (TO-252)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Verwandte Produkte