Vishay SiHD2N80AE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
188-4874
Herst. Teile-Nr.:
SIHD2N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SiHD2N80AE

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.25mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Ciss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

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