Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 210-4978
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD11N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIHD11N80AE-GE3
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 391mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.2mm | |
| Länge | 9.4mm | |
| Breite | 6.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 391mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.2mm | ||
Länge 9.4mm | ||
Breite 6.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 8 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHD11N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor für Schalt- und Leistungsumwandlung in industriellen elektronischen Systemen. Er wird in einem oberflächenmontierten TO-252-Gehäuse geliefert und ist für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich ausgelegt, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist. Wichtige elektrische Grenzwerte und thermische Handhabung ermöglichen den Einsatz in Schaltkreisen, die eine hohe Spannungstoleranz und eine moderate Dauerstromfähigkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung von Steady-State-Lasten • 391 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für Effizienzsteigerungen • 28 nC typische Gate-Ladung minimiert den Schaltenergieverbrauch • 78 W Verlustleistungskapazität hilft bei der thermischen Spanne in Baugruppen
Anwendungen
• Geeignet für primärseitiges Schalten in SMPS für industrielle Geräte • Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Umwandlungsstufen in Stromversorgungen • Wird für das Schalten von Frequenzumrichtern in industriellen Motorantrieben verwendet • Kann für Dämpfungs- oder Klemmschaltungen in Hochspannungssystemen verwendet werden
Welche Überlegungen sind für eine zuverlässige Schaltung erforderlich?
Das Gerät kann Gate-Spannungen von bis zu 30 V tolerieren, sodass Gate-Treiber geeignete Vgs-Werte liefern und gleichzeitig Transienten begrenzen sollten, um Überbelastungen zu vermeiden.
Wie wirkt sich die Temperatur auf den zulässigen Betrieb aus?
Die Komponente ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt
sollten Konstrukteure die Reduzierung des Strom- und Wärmewiderstands unter erhöhten Temperaturbedingungen berücksichtigen.
Welches Gehäuse und welche Montageart wird für das Leiterplatten-Design verwendet?
Es wird in einem oberflächenmontierten TO-252-Gehäuse mit drei Stiften geliefert, das eine gelötete Befestigung an der Leiterplatte aus Kupfer und die Verwendung von Leiterplatten-Thermo-Erdungsmustern zur Wärmeableitung ermöglicht.
Welche Kompromisse bei der Schaltleistung sind zu erwarten?
Seine moderate Gate-Ladung von 28 nC balanciert Schaltgeschwindigkeit und Antriebsenergie, während die relativ hohe Rds(on) höhere Leitungsverluste im Vergleich zu Geräten mit niedrigem Widerstand bedeutet, was bei Effizienzbudgets berücksichtigt werden sollte.