Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

2.283,00 €

(ohne MwSt.)

2.718,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 18. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,761 €2.283,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
210-4978
Herst. Teile-Nr.:
SIHD11N80AE-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

391mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.2mm

Länge

9.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.4 mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über einen DPAK-Gehäusetyp (TO-252) mit einer Konfiguration.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Ziss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

Lawinenenergie (UIS)

Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz

Verwandte Links