Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin SIHD11N80AE-GE3 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
SIHD11N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

391mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.2mm

Länge

9.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über einen DPAK-Gehäusetyp (TO-252) mit einer Konfiguration.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Ziss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

Lawinenenergie (UIS)

Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz

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