Vishay SiHD2N80AE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

8,33 €

(ohne MwSt.)

9,91 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Begrenzter Lagerbestand
  • 1.400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 900,833 €8,33 €
100 - 2400,751 €7,51 €
250 - 4900,708 €7,08 €
500 - 9900,542 €5,42 €
1000 +0,505 €5,05 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-4982
Distrelec-Artikelnummer:
304-38-847
Herst. Teile-Nr.:
SIHD2N80AE-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SiHD2N80AE

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.25mm

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Ciss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Verwandte Links