Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin SIHU2N80AE-GE3 IPAK

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210-4997
Herst. Teile-Nr.:
SIHU2N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

IPAK

Serie

E

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Höhe

2.18mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein IPAK-Gehäuse (TO-251).

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Ziss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

Lawinenenergie (UIS)

Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz

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