Vishay E SIHD690N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 200-6829
Herst. Teile-Nr.:: SIHD690N60E-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E SIHD690N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Voraussichtlich ab 13.02.2025 verfügbar.

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Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

0,946 €

(ohne MwSt.)

1,126 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 25	0,946 €	23,65 €
50 - 100	0,852 €	21,30 €
125 - 225	0,757 €	18,925 €
250 - 600	0,587 €	14,675 €
625 +	0,572 €	14,30 €

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RS Best.-Nr.:: 200-6829
Herst. Teile-Nr.:: SIHD690N60E-GE3
Marke:: Vishay

Document- SIHD690N60E-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4 A, 6,4 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	E
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,7 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay E SIHD690N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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