Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
200-6829
Herst. Teile-Nr.:
SIHD690N60E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SIHD690N60E-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Leistungszahl

Niedrige effektive Kapazität

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

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