Vishay E SIHD6N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 200-6866
Herst. Teile-Nr.:: SIHD6N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E SIHD6N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 200-6866
Herst. Teile-Nr.:: SIHD6N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Document- SIHD6N80AE-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	3,2 A, 5 A.
Drain-Source-Spannung max.	850 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	E
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,95 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay E SIHD6N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin DPAK (TO-252)

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