Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin SIHD6N80AE-GE3 TO-252

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RS Best.-Nr.:
200-6866
Herst. Teile-Nr.:
SIHD6N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

950mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SIHD6N80AE-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E.

Niedrige Leistungszahl

Niedrige effektive Kapazität (Ziss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

Lawinenenergie (UIS)

Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz

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