Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 34 A 375 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 228-2975
- Herst. Teile-Nr.:
- SQW33N65EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
8,97 €
(ohne MwSt.)
10,674 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 418 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,485 € | 8,97 € |
| 20 - 48 | 3,815 € | 7,63 € |
| 50 - 98 | 3,455 € | 6,91 € |
| 100 - 198 | 2,785 € | 5,57 € |
| 200 + | 2,425 € | 4,85 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2975
- Herst. Teile-Nr.:
- SQW33N65EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 109mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 115nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 109mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 115nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SQW44N65EF-GE3 TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SQW61N65EF-GE3 TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SiHG080N60E-GE3 TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SIHG21N80AEF-GE3 TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SIHG24N80AE-GE3 TO-247
