Vishay E Series SQW33N65EF-GE3 N-Kanal Dual, THT MOSFET 700 V / 34 A, 3-Pin TO-247AD
- RS Best.-Nr.:
- 228-2975
- Herst. Teile-Nr.:
- SQW33N65EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,52 € | 11,04 € |
| 20 - 48 | 4,69 € | 9,38 € |
| 50 - 98 | 4,25 € | 8,50 € |
| 100 - 198 | 3,42 € | 6,84 € |
| 200 + | 2,98 € | 5,96 € |
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- 228-2975
- Herst. Teile-Nr.:
- SQW33N65EF-GE3
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- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 34 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 700 V |
| Gehäusegröße | TO-247AD |
| Serie | E Series |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,109 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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