Vishay E Series SQW61N65EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 62 A, 3-Pin TO-247AD

RS Best.-Nr.:: 228-2978
Herst. Teile-Nr.:: SQW61N65EF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Series SQW61N65EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 62 A, 3-Pin TO-247AD

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Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

8,897 €

(ohne MwSt.)

10,587 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	8,897 €	266,91 €
60 +	8,452 €	253,56 €

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RS Best.-Nr.:: 228-2978
Herst. Teile-Nr.:: SQW61N65EF-GE3
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Datasheet - SQW61N65EF-GE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Leistungs-MOSFET der Vishay-E-Serie für die Automobilindustrie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Schneller Gehäusediode-MOSFET mit Automobiltechnik
Technologie der Serie E
Reduzierte trr, Qrr und IRRM
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Geringe Schaltverluste durch reduzierte Qrr
175 °C Betriebstemperatur
AEC-Q101-qualifiziert
Extrem niedrig

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	62 A
Drain-Source-Spannung max.	700 V
Serie	E Series
Gehäusegröße	TO-247AD
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,052 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Vishay E Series SQW61N65EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 62 A, 3-Pin TO-247AD

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