Vishay E Series SIHG21N80AEF-GE3 N-Kanal Dual, THT MOSFET 850 V / 16,3 A, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 228-2867
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG21N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 28.01.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 25)
2,529 €
(ohne MwSt.)
3,01 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 2,529 € | 63,225 € |
| 50 - 100 | 2,377 € | 59,425 € |
| 125 - 225 | 2,15 € | 53,75 € |
| 250 + | 2,023 € | 50,575 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 228-2867
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG21N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 16,3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 850 V |
| Serie | E Series |
| Gehäusegröße | TO-247AC |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,25 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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