Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 62 A 625 W, 3-Pin SQW61N65EF-GE3 TO-247

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RS Best.-Nr.:
228-2979
Herst. Teile-Nr.:
SQW61N65EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

229nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

625W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungs-MOSFET der Vishay-E-Serie für die Automobilindustrie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Schneller Gehäusediode-MOSFET mit Automobiltechnik

Technologie der Serie E

Reduzierte trr, Qrr und IRRM

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Geringe Schaltverluste durch reduzierte Qrr

175 °C Betriebstemperatur

AEC-Q101-qualifiziert

Extrem niedrig

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