Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 700 V Erweiterung / 85 A 625 W, 3-Pin Super-247
- RS Best.-Nr.:
- 228-2885
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHS90N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 228-2885
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- SiHS90N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Serie | E | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 700 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 85 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 625 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | Super-247 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 900 mV | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 29 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 394 nC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Serie E | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 700 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 85 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 625 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße Super-247 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 900 mV | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 29 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 394 nC | ||
The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
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