Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 85 A, 3-Pin Super-247
- RS Best.-Nr.:
- 228-2885
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHS90N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- SiHS90N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 85 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 700 V | |
| Serie | E Series | |
| Gehäusegröße | Super-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,029 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 85 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 700 V | ||
Serie E Series | ||
Gehäusegröße Super-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,029 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
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