Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 34 A 375 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

70,26 €

(ohne MwSt.)

83,61 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 390 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +2,342 €70,26 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
228-2974
Herst. Teile-Nr.:
SQW33N65EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

E

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

109mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

115nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verwandte Links