Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7.5 A 33 W, 3-Pin SIHA21N80AE-GE3 TO-220

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210-4965
Herst. Teile-Nr.:
SIHA21N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

E

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

205mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.3mm

Breite

9.7 mm

Länge

28.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein Thin-Lead TO-220 FULLPAK-Gehäuse mit 7,5 A Ableitstrom.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

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