Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7.5 A 33 W, 3-Pin TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

17,52 €

(ohne MwSt.)

20,85 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 453,504 €17,52 €
50 - 1203,154 €15,77 €
125 - 2452,768 €13,84 €
250 - 4952,558 €12,79 €
500 +2,208 €11,04 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
210-4965
Herst. Teile-Nr.:
SIHA21N80AE-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

E

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

205mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.3mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

28.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein Thin-Lead TO-220 FULLPAK-Gehäuse mit 7,5 A Ableitstrom.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

Verwandte Links