Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

3,58 €

(ohne MwSt.)

4,26 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 18. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 93,58 €
10 +3,47 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
653-140
Herst. Teile-Nr.:
SIHP11N80AEF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Serie

EF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.483Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für Hochspannungs-Schaltanwendungen entwickelt. Er verfügt über eine schnelle Gehäuse-Diode, einen niedrigen Verdienstwert (FOM) und eine reduzierte effektive Kapazität für verbesserte Effizienz. In einem TO-220AB-Gehäuse ist es ideal für Server-, Telekommunikations-, SMPS- und Leistungsfaktorkorrekturversorgungen.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

Verwandte Links