Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin SIHP11N80AEF-GE3 JEDEC

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RS Best.-Nr.:
653-139
Herst. Teile-Nr.:
SIHP11N80AEF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

EF

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.483Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für Hochspannungs-Schaltanwendungen entwickelt. Er verfügt über eine schnelle Gehäuse-Diode, einen niedrigen Verdienstwert (FOM) und eine reduzierte effektive Kapazität für verbesserte Effizienz. In einem TO-220AB-Gehäuse ist es ideal für Server-, Telekommunikations-, SMPS- und Leistungsfaktorkorrekturversorgungen.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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