Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

9,05 €

(ohne MwSt.)

10,77 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 714 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 184,525 €9,05 €
20 - 484,075 €8,15 €
50 - 983,85 €7,70 €
100 - 1983,62 €7,24 €
200 +3,35 €6,70 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2875
Herst. Teile-Nr.:
SiHP080N60E-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

E

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

227W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verwandte Links