Vishay IRFBE30PBF N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0818
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBE30PBF
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,1 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 125 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Länge | 10.41mm |
| Breite | 4.7mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 9.01mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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