Vishay IRFB11N50A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 178-0823
Herst. Teile-Nr.:: IRFB11N50APBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFB11N50A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 178-0823
Herst. Teile-Nr.:: IRFB11N50APBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	11A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	500V
	Gehäusegröße	JEDEC TO-220AB
	Serie	IRFB11N50A
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	520mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	170W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	52nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	1.5V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	9.01mm
	Länge	10.41mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	4.7mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 500V
	Gehäusegröße JEDEC TO-220AB
	Serie IRFB11N50A
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 520mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 170W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 1.5V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 9.01mm
	Länge 10.41mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 4.7mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Leistungs-MOSFET der Serie IRFB11N50A von Vishay, 500 V maximale Drain-Source-Spannung, 11 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRFB11N50APBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und -steuerung in industriellen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor zur Verwaltung von Hochspannungslasten und wird mit einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für einfache Kühlkörper und Montage durch die Leiterplatte montiert.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Drain-Source-Spannung von 500 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 520 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• Die Verlustleistung von 170 W ermöglicht eine erhebliche thermische Handhabung
• 52 nC typische Gate-Ladung erleichtert vorhersehbare Schaltdynamik
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C hält erhöhten thermischen Umgebungen stand

Anwendungen

• Geeignet für SMPS-Primärseitiges Schalten in Netzteilen
• Ideal für Frequenzumrichter in Motorantrieben
• Verwendet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsmodule
• Kann für industrielle Relais- und Schützantriebsschaltkreise verwendet werden

Welche Gate-Antriebsgrenzwerte sollte ich für einen sicheren Betrieb beachten?

Treiben Sie das Gate innerhalb von ±30 V an, um die maximale Gate-Source-Nennleistung zu vermeiden und eine zuverlässige Schaltung zu gewährleisten.

Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf die Leistung unter kontinuierlicher Last aus?

Befestigen Sie einen Kühlkörper an der TO-220AB-Flachstecker, um die Sperrschichttemperatur unter den maximalen Grenzwerten zu halten und die angegebene Verlustleistung aufrechtzuerhalten.

Welcher Umgebungsbereich wird für den Einsatz auf Industrieanlagen unterstützt?

Das Gerät verträgt Betriebstemperaturen von bis zu -55 °C und bis zu 150 °C für den Einsatz unter weiten Umgebungsbedingungen.

Wie wirkt sich die Gehäusetyp auf die Montage und Wartungsfähigkeit aus?

Das durchkontaktierte TO-220AB-Format ermöglicht eine sichere mechanische Montage und einen einfachen Austausch während der Wartung.