Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 170 A 179 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7380
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB033N10N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPB033N10N5LFATMA1
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET und Diode, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 170 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB033N10N5LFATMA1
Dieser MOSFET und die Diode sind oberflächenmontierte Leistungsgeräte, die für Hochstromschaltungen in anspruchsvollen thermischen Umgebungen ausgelegt sind. Er kombiniert ein N-Kanal-Enhancement-Gerät mit einer integrierten Diode in einem TO-263-Gehäuse und bietet eine kompakte Lösung für Leistungsumwandlungs- und Schaltaufgaben über einen breiten Temperaturbereich.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 100 V ermöglicht den Betrieb in Mittelspannungssystemen
• 3,3 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste bei hoher Belastung
• 170 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromanwendungen
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Die Durchlassdiodenspannung von 1,2 V minimiert Schaltverluste
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen
• 3,3 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste bei hoher Belastung
• 170 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromanwendungen
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Die Durchlassdiodenspannung von 1,2 V minimiert Schaltverluste
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für die primäre Umschaltung der Server-Stromversorgung
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Wandlern
• Wird für Motorantriebs-Halbbrückenstufen verwendet
• Kann für Batteriemanagement-Hochstrompfade verwendet werden
• Wird mit DC/DC-Wandlern verwendet, die einen geringen Leitungsverlust erfordern
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Wandlern
• Wird für Motorantriebs-Halbbrückenstufen verwendet
• Kann für Batteriemanagement-Hochstrompfade verwendet werden
• Wird mit DC/DC-Wandlern verwendet, die einen geringen Leitungsverlust erfordern
Welchen Umgebungstemperaturbereich kann er während des Betriebs bewältigen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt.
Welches Gehäuse und welche Art der Montage sollten Entwickler planen?
Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplattenbaugruppen vorgesehen ist.
Wie eignet sich das Gerät für thermische Hochstromkonstruktionen?
Die Kombination aus einer Bemessungsstromstärke von 170 A und einer maximalen Verlustleistung von 179 W ermöglicht den Einsatz in Designs, bei denen eine erhebliche Wärmeübertragung durch Leiterplattenkupfer- und Wärmeleitpads erforderlich ist.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen müssen beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um innerhalb sicherer Betriebsgrenzen zu bleiben.
Welche Leitungscharakteristik wirkt sich auf die Leistungsverlustberechnung aus?
Der niedrige Drain-Source-Widerstand von 3,3 mΩ ist der Schlüsselparameter für die Schätzung der Leitungsverluste bei Betriebsstrom.
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