Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 170 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7380
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB033N10N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- IPB033N10N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS-Linear-FET ist ein revolutionärer Ansatz, um den Kompromiss zwischen dem Widerstand im eingeschalteten Zustand (R DS(on)) und der Fähigkeit im linearen Modus zu vermeiden - Betrieb im Sättigungsbereich eines erweiterten MOSFET. Er bietet den neuesten R DS(on) eines Trench-MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.
Kombination aus niedrigem R DS(on) und großem sicheren Betriebsbereich (SOA)
Hoher max. Impulsstrom
Hoher kontinuierlicher Impulsstrom
Robuster linearer Betrieb
Geringe Leitungsverluste
Höherer Einschaltstrom ermöglicht schnelleres Hochfahren und kürzere Ausfallzeiten Zeit
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