Infineon OptiMOS™ 5 IPB033N10N5LFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 170 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Der Infineon OptiMOS-Linear-FET ist ein revolutionärer Ansatz, um den Kompromiss zwischen dem Widerstand im eingeschalteten Zustand (R DS(on)) und der Fähigkeit im linearen Modus zu vermeiden - Betrieb im Sättigungsbereich eines erweiterten MOSFET. Er bietet den neuesten R DS(on) eines Trench-MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.

Kombination aus niedrigem R DS(on) und großem sicheren Betriebsbereich (SOA)
Hoher max. Impulsstrom
Hoher kontinuierlicher Impulsstrom
Robuster linearer Betrieb
Geringe Leitungsverluste
Höherer Einschaltstrom ermöglicht schnelleres Hochfahren und kürzere Ausfallzeiten Zeit