Infineon OptiMOS™ 3 IPB031N08N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Der Infineon OptiMOS 5 80V-MOSFET für industrielle Leistung IPB031N08N5 bietet eine RDS(on)-Reduzierung von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Die Geräte dieser Familie wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Darüber hinaus können sie auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 %
Höchste Systemeffizienz
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Niederspannungs-/Überschwingen