Infineon OptiMOS™ 3 IPB065N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 220-7383
Herst. Teile-Nr.:: IPB065N10N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPB065N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

2,904 €

(ohne MwSt.)

3,456 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 5	2,904 €	14,52 €
10 - 95	2,656 €	13,28 €
100 - 245	2,46 €	12,30 €
250 - 495	2,278 €	11,39 €
500 +	2,218 €	11,09 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 220-7383
Herst. Teile-Nr.:: IPB065N10N3GATMA1
Marke:: Infineon

Datasheet - IPB065N10N3GATMA1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,0065 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon OptiMOS™ 3 IPB065N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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