Vishay Siliconix TrenchFET Si7190ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 14,4 A 56,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3875
- Herst. Teile-Nr.:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
PowerPAK®-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
PowerPAK®-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 14,4 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 250 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 110 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 56,8 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14,9 nC @ 10 V |
| Länge | 5.99mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 5mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 1.07mm |
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