Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 14.4 A 56.8 W, 8-Pin Si7190ADP-T1-RE3 SO-8

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RS Best.-Nr.:
178-3875
Herst. Teile-Nr.:
Si7190ADP-T1-RE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.9nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.07mm

Länge

5.99mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

PowerPAK®-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

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