onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 147 A 125 W, 8-Pin PQFN8

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RS Best.-Nr.:
178-4257
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS08N003C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

147 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

PQFN8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

3,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

125 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

52 nC @ 10 V

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6mm

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Ursprungsland:
PH
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Merkmale
Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie
RDS(ON) = 3,1 mΩ (typ.) (@ VGS = 10 V, ID = 56A)
RDS(ON) = 8,1 mΩ (typ.) (@ VGS = 6 V, ID = 28 A)
50 % geringerer Qrr als andere MOSFET Lieferanten
Niedriges Schaltgeräusch / EMI
MSL1 robustes Gehäusedesign


Anwendungen
Primärer DC/DC MOSFET
Synchroner Gleichrichter in DC/DC- und AC/DC
Motorantriebe
Solarwechselrichter
Lastschalter
Endprodukte
Netzadapter
Netzteil DC auf DC
Akkuwerkzeug
Drohnen
Akkupacks

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