onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 211 A 263 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-5484
Herst. Teile-Nr.:
FDP032N08B_F102
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

211 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

PowerTrench

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

263 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.672mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

111 nC @ 10 V

Höhe

15.215mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
US

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor



MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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