onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A, 313 A 333 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-5421
Herst. Teile-Nr.:
FDP020N06B_F102
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A, 313 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

333 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.36mm

Breite

4.672mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

206 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

15.215mm

Ursprungsland:
MY

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor



MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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