onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 50 A 260 W, 3-Pin TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

7,39 €

(ohne MwSt.)

8,794 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 796 Einheit(en) mit Versand ab 22. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 183,695 €7,39 €
20 +3,185 €6,37 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
864-8546
Herst. Teile-Nr.:
FDP2710
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

PowerTrench

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

42mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

260W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

16.51mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links