onsemi PowerTrench FDP2710 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 50 A 260 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 145-4439
Herst. Teile-Nr.:: FDP2710
Marke:: onsemi

onsemi PowerTrench FDP2710 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 50 A 260 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 145-4439
Herst. Teile-Nr.:: FDP2710
Marke:: onsemi

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Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	50 A
Drain-Source-Spannung max.	250 V
Serie	PowerTrench
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	42 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	260 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.83mm
Länge	10.67mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	78 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	16.51mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C