onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 50 A 260 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
166-1758
Herst. Teile-Nr.:
FDB2710
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

42mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

260W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

4.83mm

Breite

11.33 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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