onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 229 A 246 W, 7-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

10,08 €

(ohne MwSt.)

12,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 28. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 185,04 €10,08 €
20 - 1984,345 €8,69 €
200 +3,77 €7,54 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
864-7941
Herst. Teile-Nr.:
FDB024N08BL7
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

229A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

246W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

137nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.2mm

Höhe

4.7mm

Breite

9.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links