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    onsemi PowerTrench FDB024N08BL7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 229 A 246 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

    Voraussichtlich ab 30.09.2024 verfügbar.
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    Nicht als Expresslieferung erhältlich

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    800 +2,181 €1.744,80 €

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    RS Best.-Nr.:
    166-3399
    Herst. Teile-Nr.:
    FDB024N08BL7
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.229 A
    Drain-Source-Spannung max.80 V
    SeriePowerTrench
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl7
    Drain-Source-Widerstand max.2,4 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.2.5V
    Verlustleistung max.246 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Breite9.4mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Länge10.2mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Gate-Ladung typ. @ Vgs137 nC @ 40 V
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Höhe4.7mm

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