- RS Best.-Nr.:
- 166-3399
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB024N08BL7
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 30.09.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)
2,181 €
(ohne MwSt.)
2,595 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
800 + | 2,181 € | 1.744,80 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 166-3399
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB024N08BL7
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 229 A |
Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
Serie | PowerTrench |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 7 |
Drain-Source-Widerstand max. | 2,4 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
Verlustleistung max. | 246 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Breite | 9.4mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 10.2mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 137 nC @ 40 V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 4.7mm |
Verwandte Produkte
- onsemi PowerTrench FDB024N08BL7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 229 A...
- onsemi PowerTrench FDP032N08B_F102 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 211...
- onsemi PowerTrench FDB050AN06A0 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A...
- onsemi PowerTrench FDB035AN06A0 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A...
- onsemi PowerTrench FDB088N08 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A 160...
- onsemi PowerTrench FDB035N10A N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A...
- onsemi PowerTrench FDB2614 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 62 A 260 W,...
- onsemi PowerTrench FDB110N15A N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 92 A 234...