onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 48 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 178-4258
Herst. Teile-Nr.:: NTPF082N65S3F
Marke:: onsemi

onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 48 W, 3-Pin TO-220

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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	82mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	48W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	70nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.9 mm
	Länge	10.63mm
	Höhe	16.12mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 82mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 48W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.9 mm
	Länge 10.63mm
	Höhe 16.12mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features

700 V @ T_J = 150 oC

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 70 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 680 pF)

Optimized Capacitance

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Typ. RDS(on) = 70 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge Circuit

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

Solar / UPS

EV charger

onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 48 W, 3-Pin TO-220

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