onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 272 W, 3-Pin TO-220

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195-2516
Herst. Teile-Nr.:
NTP095N65S3HF
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

272W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.4mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.7 mm

Automobilstandard

Nein

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Körperdiode von SuperFET III FRFET® MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

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