onsemi NVMFS5C638NL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 133 A 100 W, 5-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
178-4305
Herst. Teile-Nr.:
NVMFS5C638NLT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

133A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DFN

Serie

NVMFS5C638NL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.05mm

Breite

6.1 mm

Länge

5.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.

Merkmale

Kleines Gehäuse in Industriestandard-Abmessungen 5 x 6 mm

Niedriger RDS (EIN)

Niedrige QG und Kapazität

NVMFS5C638NLWF – Option mit benetzbaren Flanken

PPAP-fähig

Vorteile

Kompakte Bauweise und Standardabmessungen für direkten Austausch

Minimiert Leitungsverluste

Minimiert Treiberverluste

Verbesserte optische Prüfung

Anwendungen

Batterieverpolungsschutz

Schaltnetzteile

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

Endprodukte

Spulentreiber – ABS, Kraftstoffeinspritzung

Motorsteuerung – EPS, Tücher, Lüfter, Sitze usw.

Lastschalter – ECU, Chassis, Gehäuse

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