onsemi NVMFS5C638NLT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 133 A 100 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 178-4407
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5C638NLT1G
- Marke:
- onsemi
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Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
1,74 €
(ohne MwSt.)
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(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,74 € | 17,40 € |
| 100 - 240 | 1,307 € | 13,07 € |
| 250 - 490 | 1,264 € | 12,64 € |
| 500 - 990 | 1,165 € | 11,65 € |
| 1000 + | 1,137 € | 11,37 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 178-4407
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5C638NLT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.
Merkmale
Kleines Gehäuse in Industriestandard-Abmessungen 5 x 6 mm
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige QG und Kapazität
NVMFS5C638NLWF – Option mit benetzbaren Flanken
PPAP-fähig
Vorteile
Kompakte Bauweise und Standardabmessungen für direkten Austausch
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Batterieverpolungsschutz
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Endprodukte
Spulentreiber – ABS, Kraftstoffeinspritzung
Motorsteuerung – EPS, Tücher, Lüfter, Sitze usw.
Lastschalter – ECU, Chassis, Gehäuse
Kleines Gehäuse in Industriestandard-Abmessungen 5 x 6 mm
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige QG und Kapazität
NVMFS5C638NLWF – Option mit benetzbaren Flanken
PPAP-fähig
Vorteile
Kompakte Bauweise und Standardabmessungen für direkten Austausch
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Prüfung
Anwendungen
Batterieverpolungsschutz
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Endprodukte
Spulentreiber – ABS, Kraftstoffeinspritzung
Motorsteuerung – EPS, Tücher, Lüfter, Sitze usw.
Lastschalter – ECU, Chassis, Gehäuse
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 133 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | DFN |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 5 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 100 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18,4 nC @ 4,5 V |
| Länge | 5.1mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 6.1mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.05mm |
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