onsemi NVMFS6H818N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
178-4309
Herst. Teile-Nr.:
NVMFS6H818NT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

123A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

NVMFS6H818N

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.05mm

Breite

6.1 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.

Merkmale

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)

Niedriger RDS (EIN)

Niedrige QG und Kapazität

NVMFS6H818NWF – Option mit benetzbaren Flanken

PPAP-fähig

Vorteile

Kompaktes Design

Minimiert Leitungsverluste

Minimiert Treiberverluste

Verbesserte optische Prüfung

Anwendungen

Schaltnetzteile

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

48-V-Systeme

Endprodukte

Motorsteuerung

DC/DC-Konverter

Lastschalter

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