onsemi NVMFS6H801NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 166 W, 5-Pin DFN

RS Best.-Nr.:: 178-4308
Herst. Teile-Nr.:: NVMFS6H801NT1G
Marke:: onsemi

onsemi NVMFS6H801NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 166 W, 5-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:: 178-4308
Herst. Teile-Nr.:: NVMFS6H801NT1G
Marke:: onsemi

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Ursprungsland:: MY

Produktdetails

On Semiconductor

Der on Semiconductor DFN5 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 2,8 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen maximalen Dauerstrom von 157 A und eine maximale Verlustleistung von 166 W. Die Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• KFZ-Leistungs-MOSFET
• Kompakte und effiziente Bauweise
• Hohe Wärmeleistung
• bleifrei (Pb)
• Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
• Niedriger RDS (ein) zur Minimierung von Leitungsverlusten
• Minimiert Treiberverluste
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Option für benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion erhältlich

Anwendungen

• DC/DC-Wandler
• Lastschalter
• Motorsteuerung
• Netzschalter (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
• Schaltnetzteile

Zertifizierungen

• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	157 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	DFN
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	5
Drain-Source-Widerstand max.	2,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	166 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	5.1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	64 nC @ 10 V
Breite	6.1mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	1.05mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C