onsemi NTMFS6H801N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 157 A 166 W, 5-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
172-8785
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS6H801NT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

157A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

DFN

Serie

NTMFS6H801N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

166W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Länge

6.1mm

Breite

5.1 mm

Automobilstandard

Nein

Kommerzieller Leistungs-MOSFET in einem 5x6mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)

Kompaktes Design

Niedriger RDS (EIN)

Minimiert Leitungsverluste

Niedrige QG und Kapazität

Minimiert Treiberverluste

Anwendungsbereich

Schaltnetzteile

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

48-V-Systeme

Motorsteuerung

Lastschalter

DC/DC-Konverter

Synchroner Gleichrichter

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