onsemi NVMFS6H800N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN

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onsemi NVMFS6H800N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN
RS Best.-Nr.
178-4307

Stück (Auf einer Rolle von 1500)

2,348 €

(ohne MwSt.)

2,794 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
178-4435
Herst. Teile-Nr.:
NVMFS6H800NT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

203A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

DFN

Serie

NVMFS6H800N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

85nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.1mm

Breite

6.1 mm

Höhe

1.05mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.

Merkmale

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)

Niedriger RDS (EIN)

Niedrige QG und Kapazität

NVMFS6H800NWF – Option mit benetzbaren Flanken

PPAP-fähig

Vorteile

Kompaktes Design

Minimiert Leitungsverluste

Minimiert Treiberverluste

Verbesserte optische

Inspektion

Anwendungen

Schaltnetzteile

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

48-V-Systeme

Endprodukte

Motorsteuerung

Lastschalter

DC/DC-Konverter

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