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    onsemi NTMFS6H801NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 166 W, 5-Pin DFN

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    100 - 2451,396 €6,98 €
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    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    172-8986
    Herst. Teile-Nr.:
    NTMFS6H801NT1G
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.157 A
    Drain-Source-Spannung max.80 V
    GehäusegrößeDFN
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl5
    Drain-Source-Widerstand max.4,4 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.166 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.±20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite5.1mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs64 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Länge6.1mm
    Diodendurchschlagsspannung1.2V
    Höhe1.1mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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