- RS Best.-Nr.:
- 172-8986
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS6H801NT1G
- Marke:
- onsemi
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
2,10 €
(ohne MwSt.)
2,50 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
5 - 5 | 2,10 € | 10,50 € |
10 - 95 | 1,768 € | 8,84 € |
100 - 245 | 1,396 € | 6,98 € |
250 - 495 | 1,344 € | 6,72 € |
500 + | 1,172 € | 5,86 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 172-8986
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS6H801NT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Kommerzieller Leistungs-MOSFET in einem 5x6mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)
Kompaktes Design
Niedriger RDS (EIN)
Minimiert Leitungsverluste
Niedrige QG und Kapazität
Minimiert Treiberverluste
Anwendungsbereich
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
48-V-Systeme
Motorsteuerung
Lastschalter
DC/DC-Konverter
Synchroner Gleichrichter
Kompaktes Design
Niedriger RDS (EIN)
Minimiert Leitungsverluste
Niedrige QG und Kapazität
Minimiert Treiberverluste
Anwendungsbereich
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
48-V-Systeme
Motorsteuerung
Lastschalter
DC/DC-Konverter
Synchroner Gleichrichter
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 157 A |
Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
Gehäusegröße | DFN |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 5 |
Drain-Source-Widerstand max. | 4,4 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 166 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 5.1mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 6.1mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Höhe | 1.1mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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