onsemi NTMFS6H801N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 157 A 166 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 172-8986
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS6H801NT1G
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
14,42 €
(ohne MwSt.)
17,16 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.275 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,884 € | 14,42 € |
| 50 - 95 | 2,486 € | 12,43 € |
| 100 - 495 | 2,158 € | 10,79 € |
| 500 - 995 | 1,894 € | 9,47 € |
| 1000 + | 1,724 € | 8,62 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 172-8986
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS6H801NT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 157A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NTMFS6H801N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 166W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 157A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NTMFS6H801N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 166W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kommerzieller Leistungs-MOSFET in einem 5x6mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)
Kompaktes Design
Niedriger RDS (EIN)
Minimiert Leitungsverluste
Niedrige QG und Kapazität
Minimiert Treiberverluste
Anwendungsbereich
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
48-V-Systeme
Motorsteuerung
Lastschalter
DC/DC-Konverter
Synchroner Gleichrichter