onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 65 A 446 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 178-4448
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL040N65S3F
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 158nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 446W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.87mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 158nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 446W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.82 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.87mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features
700 V @ TJ = 150
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 32 mΩ
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
Benefits
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
End Products
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
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