onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 65 A 446 W, 3-Pin NTHL040N65S3F TO-247

RS Best.-Nr.:: 178-4448
Herst. Teile-Nr.:: NTHL040N65S3F
Marke:: onsemi

onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 65 A 446 W, 3-Pin NTHL040N65S3F TO-247

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onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 65 A 446 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.: 178-4253

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9,826 €

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11,693 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:: 178-4448
Herst. Teile-Nr.:: NTHL040N65S3F
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	65A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	NTHL
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	40mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	158nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	446W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	20.82mm
	Länge	15.87mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.82 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie NTHL
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 158nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 446W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 20.82mm
	Länge 15.87mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.82 mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features

700 V @ TJ = 150

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 32 mΩ

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

Benefits

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 65 A 446 W, 3-Pin NTHL040N65S3F TO-247

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