onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 162 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

132,75 €

(ohne MwSt.)

157,98 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 14. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 904,425 €132,75 €
120 - 2404,31 €129,30 €
270 - 4804,199 €125,97 €
510 +4,093 €122,79 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
189-0256
Herst. Teile-Nr.:
NTHL190N65S3HF
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

NTHL

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Maximale Verlustleistung Pd

162W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.87mm

Höhe

20.82mm

Breite

4.82 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

SuperFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

700 V bei TJ = 150 °C

Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 35 nC)

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 467 pF)

Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)

Optimierte Kapazität

Typ. RDS(on) = 161 mΩ

Vorteile

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Geringere Schaltverluste

Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Anwendungen

Telekommunikation

Cloud-System

Industriell

Endprodukte

Stromversorgung Telekommunikation

Stromversorgung Server

EV-Ladegerät

Solar/UPS

Verwandte Links