onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 240 W, 3-Pin NTHL110N65S3F TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 178-4486
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL110N65S3F
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
12,41 €
(ohne MwSt.)
14,768 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 410 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,205 € | 12,41 € |
| 20 + | 5,345 € | 10,69 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-4486
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL110N65S3F
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Breite 4.82 mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features:
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS